Реестр Минпромторга
не нашлиВ открытой выборке нет позиций с таким названием или кодом. Это не отказ: продукцию могли не включать или запрос слишком общий.
Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур
Код 28.99.20.110 — Оборудование для эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур. Для реестра Минпромторга он должен совпадать с фактическим изделием и парой ТН ВЭД. Пищевую продукцию и чистые услуги в этот реестр не ведём.
Проверить, подходит ли код Карта требований по коду Подбор ОКПД2 и ТН ВЭД Сопровождение в реестр
Результат предварительный: по открытым справочникам ТОРГС, не заключение эксперта и не решение ТПП.
В открытой выборке нет позиций с таким названием или кодом. Это не отказ: продукцию могли не включать или запрос слишком общий.
ОКПД2 найден, пару с ТН ВЭД ещё нужно обосновать — не копировать «как у конкурента».
В приложениях 1 и 2 этого кода нет. Остаётся общее преимущество российскому происхождению (п. 1). Это не «можно не подтверждать страну»: в заявке страну всё равно указывают (п. 3з).
Код встречается в приложениях 719: контур подтверждения российского производства. Баллы и операции смотрит ТПП по методике, не эта таблица.
В таблицах 878 этот код не нашли. Если изделие всё же РЭП, ориентир по баллам всё равно нужен — перечень не заменяет квалификацию.
Нет выписки «какие сертификаты обязательны» по этому запросу. Типовой путь: ТР ТС / ГОСТ в ТУ, затем ТПП.
Для машин, электроники и оборудования без конструкторки и технологии подача в ТПП обычно стопорится. Акт палаты чертежи не заменяет.
Каталог ЕИС с обязательными характеристиками в ТОРГС ещё не загружен. Не подставляем чужой код КТРУ «на глаз».
Скорее всего упрётесь в КД до реестра. Записи в ГИСП по запросу нет, а тип изделия обычно требует документацию. Имеет смысл сначала понять объём КД, потом маршрут 719. Разработка КД / ТД, затем цикл от 410 000 ₽ · от 40 000 ₽ · от 10 рабочих дней
Разработка КД и ТД Открыть полную карту
В открытом реестре пока нет промышленных позиций с этим кодом — либо код слишком общий, либо записи ещё нет.
| Код ТН ВЭД | Наименование |
|---|---|
| 8486 10 | Машины и аппаратура, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей; машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе; части и принадлежности:машины и аппаратура для производства булей или пластин |
| 8486 20 | Машины и аппаратура, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей; машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе; части и принадлежности:машины и аппаратура для производства полупроводниковых приборов или электронных интегральных схем |
| 8486 30 | Машины и аппаратура, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей; машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе; части и принадлежности:машины и аппаратура для производства плоских дисплейных панелей |
| 8486 40 | Машины и аппаратура, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей; машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе; части и принадлежности:машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе |
| 8486 90 | Машины и аппаратура, используемые исключительно или в основном для производства полупроводниковых булей или пластин, полупроводниковых приборов, электронных интегральных схем или плоских дисплейных панелей; машины и аппаратура, поименованные в примечании 11 (В) к данной группе; части и принадлежности:части и принадлежности |
Специализированные установки для формирования монокристаллических слоев методом газофазной эпитаксии (CVD), молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE) или гидридной транспортировки. Основные технические параметры:
- Рабочая температура: 600-1200°C
- Точность контроля толщины слоя: ±1.5 нм
- Максимальный размер подложки: 300 мм
- Система вакуумной откачки: ≤5×10-7 Торр
Технология изготовления требует очистки компонентов класса ISO Class 4-5. Срок хранения оборудования в оригинальной упаковке - 24 месяца при влажности ≤45% и температуре 15-25°C. Упаковка включает многослойные антистатические контейнеры с азотной подушкой.
1. Нотификация РЭРС-05-28А
2. Карта технологического процесса с пооперационным описанием
3. Заключение о промышленных испытаниях (не менее 3 циклов по 72 часа)
4. Протоколы измерения параметров виброустойчивости по методике МИ 2304-2025
| ТН ВЭД | Описание | Особенности тарификации |
|---|---|---|
| 8486 20 000 0 | Реакторы для химического осаждения | Импортная пошлина 6.5% (режим 201-СТ5) |
| 8424 89 900 9 | Вакуумные насосы специализированные | НДС 20% с акцизом на фреон |
Неверный ОКПД2 открывает чужой перечень требований или отказ ТПП. Разберём изделие и скажем пару кодов.